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如今各種設備對于 NAND 閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進技術，尤其是強化 3D 堆疊設計。SK 海力士就計劃在今年量產 72 層堆疊閃存。2015 年，SK 海力士量產了第二代 36 層堆疊 3D MLC NAND ( 3D-V2 ) ，單晶粒容量 128Gb ( 16GB ) 。2016 年，SK 海力士推出了第三代 48 層堆疊的 3D-V3，閃存類型改成 TLC，重點單晶粒容量 256Gb ( 32GB ) ，而封裝芯片的容量最高可以達到 4096Gb ( 512GB ) 。

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2017 年，我們將看到 SK 海力士的第四代 3D-V4，驚人的 72 層堆疊，還是 TLC，其中第二季度量產的單晶粒容量仍為 256Gb，而第四季度翻番到 512Gb ( 64GB ) ，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到 8192Gb ( 1TB ) 。

更重要的是，這一代閃存的區(qū)塊尺寸將從 9MB 增大到 13.5MB，有助于提升性能。

這意味著，其實只需要兩顆芯片，就能造出 2TB 容量的單面 M.2 SSD，而且成本更低，另一方面 120/128GB 等低容量產品可能會被基本放棄。